多晶硅片效率提升方向探讨

来源 :2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xdq2269586
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文阐述了多晶硅片效率提升方向,降低多晶硅片电阻率,收窄电阻率分布有助于提升PERC工艺下转换效率;合适的电阻率匹配不仅可以提升转换效率,也可以降低PERC工艺光衰,控制金属杂质,降低位错是提高转换效率的主要路径,控制金属杂质对降低光衰也有助益,金刚线切割和砂浆线切割的清洗有很大不同,改善清洗可以提升效率。
其他文献
通过DLTS从微观机理上说明了磷吸杂以及氢化处理后P型多晶硅片少子寿命提高的原因,从宏观及微观上分析了AlOx和AlOx/SiNx叠层钝化的吸杂及未吸杂硼掺杂多晶硅寿命样品的LeTID现象。
随着电池片功率提高、电池片变薄、对组件功率的要求提高、对组件寿命的要求提高,行业对任何材料的判断基准已经提升到从LCOE的角度来思考,本文介绍了封装材料发展现状(光伏背板、封装胶膜)和封装材料发展新思路(KPO One背板)。
铸造单晶硅是目前光伏硅晶体发展的重要方向,面临高位错密度、单晶率、籽晶成本和材料利用率等问题的挑战,位错(包括分散位错和位错团)是制约单晶硅质量的关键因素,晶界工程可以降低位错团,明显提高晶体质量。
本文分析了光伏+储能市场,介绍了光伏+储能系统应用策略,阐述了林洋双面高效实证电站,介绍了电站设计及EPC能力。
本文阐述了非单晶硅材料的生长与缺陷控制及其对电池及组件光衰和氢化,通过发展新的位错处氢捕陷技术,最大化加氢量,然后控制或移除多余的氢来制备非单晶硅材料。
本文阐述了提拉法单晶硅生长系统中碳杂质输运与控制的数值模拟与实验验证,结果表明:过量碳氧杂质降低CZ-Si工艺中的晶体品位,碳杂质对少流子寿命的危害主要发生在氧含量较高的CZ-Si晶体中,气体导流筒与Si熔体间隙对C杂质输运影响取决于扩散距离。
Passivating Contacts Next Generation Silicon Solar Cells Al-BSF,PERC Mature main stream technology Intrinsic efficiency limitation Unpassivated metal contacts Contact recombination and lateral current
会议
WHAT COMES AFTER PERC?Passivated contact front Reduced J0,Ag Challenge:Alignment & absorption n-poly
会议
双面组件发电增益大幅提升,大幅降低系统LCOE.双面系统设计中,地表反射率,安装高度,纬度,组件尺寸,支架,逆变器的选择都有很强相关性,建议进行全球系统实证后给出解决方案。双面组件在雪天发电量显著提升,且可以大幅缩减融雪时间,减少积雪带来的发电量损失和可靠性风险.
Outline Motivation Progress made at imec in 2018 Rear-emitter nPERT cell results:Bifacial 5BB cells Monofacial 0BB cells Summary
会议