【摘 要】
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三氧化钼是一种宽带隙的 n 型半导体材料，因其具有良好的气致变色和光致变色性 能，在信息显示、传感器、存储介质和智能窗等领域具有潜在的应用。本论文利用水热法合 成三氧化钼，该方法是一种以原材料直接混合加以高温高压制备三氧化钼最直接、最简单的 技术。该方法制备的一维三氧化钼(MoO3)纳米线具有更高的比表面积，合成后再添加钯量 子点进行修饰。
【机 构】
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湖北大学物理与电子科学学院,武汉 430062
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三氧化钼是一种宽带隙的 n 型半导体材料，因其具有良好的气致变色和光致变色性 能，在信息显示、传感器、存储介质和智能窗等领域具有潜在的应用。本论文利用水热法合 成三氧化钼，该方法是一种以原材料直接混合加以高温高压制备三氧化钼最直接、最简单的 技术。该方法制备的一维三氧化钼(MoO3)纳米线具有更高的比表面积，合成后再添加钯量 子点进行修饰。
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