CdS/Si纳米异质结构阵列的光电特性研究

来源 :第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:a490093469
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底、用化学水浴沉积法(CBD)制备了具有规则阵列结构特性的CdS/Si-NPA纳米复合体系。结果表明,组成CdS/Si表面阵列的每个柱子均呈现核壳结构。CdS/Si-NPA纳米复合体系在300-800nm波长范围内反射率均小于6%。退火后光致发光谱(PL)均由退火前的双峰变为单一蓝峰。电致发光谱(EL)随电压的升高,峰位蓝移,且峰值增加。
其他文献
  Multi-wafer heteroepitaxial growth of 3C-SiC layers on Si(lll) substrates were performed by employing a novel home-made warm-wall low pressure chemical vapo
会议
通过对线性调频(LFM)信号子带分解的分析,提出了一种基于子带信号处理的时频单元剔除(SSP-TFCD)LFM干扰抑制算法。由于这种算法充分利用了子带分解的时频定位特性,在干扰消除
  在外延层掺杂浓度为1.6×1014cm-3,厚度为24μm的4H-SiC上制作了结势垒肖特基二极管,器件的P型注入区和外围的JTE保护层,采用Al多重能量注入,离子注入的激活温度为1250℃
会议
目前,国内建筑业发展迅速.在这种行业趋势下,施工企业要想长期持续发展,就需要提高自身的技术水平和施工质量,对工程造价和成本进行必要的控制,使工程效益得到显著提高.将施
交通是一个城市发展必不可缺的部分,随着社会的发展交通问题不断出现,市政部门为了解决交通拥堵问题对道路桥梁的建设提高了重视.近些年来市政道路桥梁数量越来越多,相应的工
  采用二次转移衬底技术制作了电注入氮化物谐振腔器件,其谐振腔的结构包括InGaN/GaN多量子阱、30 nm厚的ITO透明导电薄膜层和两个具有高反射率的介质膜DBRs。在ITO和DBR之
By using the Lagrange interpolation formula and the technology of signature of equality, a (k, n) threshold nominative proxy signature scheme is proposed, where
道路桥梁工程是关系到民生的重要基础工程.软土地基是道路桥梁中一种常见的地基形式,在施工之前需要做好各种处理,保障地基强度能够达到一定的水平.本文主要就道路桥梁工程中
海龙译  当今,个人电脑已经成为我们家庭中必要的组成部分。它们越来越多的被当作多媒体应用中心,比如:作相册,存储音乐等等。新的理念是在下一步的技术革新中使用它们来观看卫星数字电视。    Technotrend公司为这种需求提供了一个低成本且非常方便的解决方案,即他们所设计生产的T-Connect S-2400 USB接收机。T-Connect S-2400 USB接收机是一款可以和你的个人电脑连
  High-performance 400 nm violet InGaN multi-quantum-wells light-emitting diodes (LED) with p-AlGaN electron blocking layer were fabricated on sapphire substr
会议