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BCD集成器件与工艺之发展概述
BCD集成器件与工艺之发展概述
来源 :2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xfzhang901
【摘 要】
:
本文根据实际工艺的电压标准着重阐述了高压功率集成技术、大功率功率集成技术以及高密度功率集成技术工艺的各自特点及发展标准,同时介绍了世界知名IC制造厂商的并阐述了BCD
【作 者】
:
宋洵奕
李泽宏
任敏
张金平
【机 构】
:
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
【出 处】
:
2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
【发表日期】
:
2013年7期
【关键词】
:
集成电路
功率集成技术
产品质量
性能表征
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本文根据实际工艺的电压标准着重阐述了高压功率集成技术、大功率功率集成技术以及高密度功率集成技术工艺的各自特点及发展标准,同时介绍了世界知名IC制造厂商的并阐述了BCD工艺整体的发展特点及趋势.
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