【摘 要】
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本文首先利用变温霍尔测试研究了A1N/GaN异质结材料中影响2DEG迁移率的的主要散射机制，而后，在A1N/GaN异质结材料上制备得到了不同肖特基面积的方形A1N/GaN HFETs。基于实验测
【机 构】
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专用集成电路国家级重点实验室 河北半导体研究所,石家庄 050051
【出 处】
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本文首先利用变温霍尔测试研究了A1N/GaN异质结材料中影响2DEG迁移率的的主要散射机制，而后，在A1N/GaN异质结材料上制备得到了不同肖特基面积的方形A1N/GaN HFETs。基于实验测试和理论计算，发现：在完成器件工艺后极化梯度库仑场散射对A1N/GaN HFET中的2DEG迁移率有着重要的影响，成为一种不可忽略的散射机理。
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