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本文介绍了一种星用大电流PIN驱动器的抗辐射设计,主要考虑了氧化层中的电荷对硅表面导电性能改变所造成对电路的影响,通过摸底试验验证,经过电路版图和工艺的优化设计,电路抗辐射总剂量可望达到107rad(Si).
一种星用抗辐射加固大电流PIN驱动器的设计考虑
【摘 要】
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本文介绍了一种星用大电流PIN驱动器的抗辐射设计,主要考虑了氧化层中的电荷对硅表面导电性能改变所造成对电路的影响,通过摸底试验验证,经过电路版图和工艺的优化设计,电路
【机 构】
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中国电子科技集团公司,电子第24研究所,重庆,400060
【出 处】
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第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
【发表日期】
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2005年期
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