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该文报道了低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂黉度关系的实验结果。ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征压应力。采用快速退炎（ＲＴＡ）可以使其压应力检驰，并可使其转变成为该文征张应力。
多晶硅薄膜应力特性研究
【摘 要】
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该文报道了低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂黉度关系的实验结果。ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征压应力。采用快速退炎（ＲＴＡ）可以使其压应力检
【机 构】
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大学微电子学研究所
【出 处】
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1998年全国半导体硅材料学术会议
【发表日期】
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1998年9期
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