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掺氧半绝缘多晶硅膜具有半绝缘性和电中性，用ＳＩＰＯＳ膜进行表面钝化可屏蔽外电场和表面电荷的影响。该文分析了ＳＩＰＯＳ的钝化原理，利用ＳＩＰＯＳ膜和ＳｉＯ〈，２〉膜双层结构钝化ＰＮ结二极管，明显提高了击穿电压，减小了漏电流。
掺氧半绝缘多晶硅(SIPOS)膜钝化技术及应用
【摘 要】
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掺氧半绝缘多晶硅膜具有半绝缘性和电中性，用ＳＩＰＯＳ膜进行表面钝化可屏蔽外电场和表面电荷的影响。该文分析了ＳＩＰＯＳ的钝化原理，利用ＳＩＰＯＳ膜和ＳｉＯ〈，２〉膜双层结构钝化ＰＮ结二极管，明显提高了击穿电压，减小
【机 构】
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电子科技大学微电子研究所
【出 处】
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第五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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1996年期
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