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ZnO作为一种新型功能材料,具有优异的光学、电学、机械性能、热稳定和化学稳定性。由于ZnO具有60meV激子束缚能(室温的热离化能为26meV)以及很强的紫外受激辐射,在短波长发光器件方面如发光二极管和激光二极管具有很大的发展潜力,成为继GaN后在宽禁带半导体领域又一研究热点。目前生长氧化锌体单晶的方法主要有助熔剂法、气相法、高压熔体和水热法等。