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衬底取向对低温生长的GaAsAlGaAs多量子阱光学性质的影响
【机 构】
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中科院物理所(北京)
【出 处】
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第五届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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1999年6期
其他文献
热力学和真空蒸发流计算相结合，模拟GaAs脱氧过程，预测脱氧要求的工艺条件和外加As源、Ga源的影响，并从机理上进行了解释。计算结果可作为设计GaAs脱氧工艺的依据。
采用ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ技术，在（００１）ＧａＡｓ衬底上，以ＴＭＧ为镓源、以高纯氮气为氮源，低温生长出了纯立方ＧａＮ。利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测量，研究了衬底预处理条件对Ｃ－ＧａＮ／（００１）ＧａＡｓ外延层质量的影响。结果表明，在３９０℃￣４１０℃用氢等离子体