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在这篇文章中,主要通过标准的F离子注入技术实现增强型metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors(MIS-HEMT)器件,8nm的LPCVD-Si3N4作为栅介质的同时,也用作离子注入的能量吸收层来降低注入损伤.制作的增强型MIS-HEMT的阈值电压为+3.3V,饱和电流约为200mA/mm,同时具有一个较高的开关比～10 9.这个技术有利于工业化生产和器件的单片集成。