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在本文中，主要探讨在结构材料中引入AlGaN：In插入层对多量子阱发光的影响。采用适当厚度的AlGaN： In插入层可提升表面与界面的平整度，提高其上外延层的晶体质量、组分均一性以及多量子阱的发光效率；若插入层过厚，将导致外延晶体质量下降，严重影响多量子阱层的发光。
AIGaNIn插入层对多量子阱的影响
【摘 要】
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在本文中，主要探讨在结构材料中引入AlGaN：In插入层对多量子阱发光的影响。采用适当厚度的AlGaN： In插入层可提升表面与界面的平整度，提高其上外延层的晶体质量、组分均一性
【机 构】
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厦门大学物理与机电工程学院物理系,厦门,361005
【出 处】
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第十八届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2011年8期
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