非晶碳化硅相关论文
利用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,在不同CH4流量下制备非晶SiCx∶H薄膜,在室温下能用肉眼观察到薄膜较强的近红外光发射,......
本文研究了甲烷流量对作为工业非晶硅光伏组件的p层材料—非晶碳化硅结构和光学性质的影响.p层非晶碳化硅薄膜采用硅烷和甲烷混合......
本文介绍了为开发大面积非晶碳化硅发光器件而研制的等离子体辉光放电淀积装置及非晶碳化硅薄膜的淀积方法,以及利用透射光谱同时......
本文作者用RF溅射法获得碳化硅薄膜,利用AES、XPS、TEM和UPS等现代分析仪器研究了碳化硅薄膜的结构.溅射薄膜中Si∶C=1∶1.主要化......
相对于传统Si材料，宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料具有较高击穿电场，较高饱和电子速率，较大热导率，较低本征载流子浓度以及抗辐射和抗化......
利用SiH4(80%Ar稀释)和CH4作为源气体,通过改变源气体流量比、基片温度、沉积气压等参量,使用微波电子回旋共振化学气相沉积法生长......
利用等离子体化学气相沉积技术在100℃的衬底温度下，制备了具有不同组分比的系列非晶碳化硅薄膜。结合傅里叶变换红外光谱与喇曼光......
非晶碳化硅薄膜的结构可调制性及化学稳定性使它可用作超低k多孔介电薄膜的扩散阻挡层。主要改变了SiH4（80％Ar稀释）和CH4气体流量比R（R......
本文以硅烷、乙炔和氢气为气源,采用热丝CVD法制备了非晶碳化硅薄膜。通过FITR、紫外-可见光分光光度计、四探针仪、台阶仪和霍尔......
本文研究了甲烷流量对作为工业非晶硅光伏组件的p层材料—非晶碳化硅结构和光学性质的影响.p层非晶碳化硅薄膜采用硅烷和甲烷混合......
本文介绍了为开发大面积非晶碳化硅发光器件而研制的等离子体辉光放电淀积装置及非晶碳化硅薄膜的淀积方法,以及利用透射光谱同时......
氢化非晶碳(a-C：H)和氢化非晶碳化硅(a-Si1-χCχ:H)薄膜在室温条件下均具有较强的发光性能,因此有潜力作为各种发光器件的发光层材......
纳米硅量子点由于量子限制效应等带来的特殊的物理性质和优异性能,在硅基发光器件和太阳能电池中有着潜在的应用前景。特别是镶嵌......
为实现超大规模集成电路和微机电系统(MEMS)中的光电集成，硅基发光器件的实现至关重要。由于硅是一种间接禁带半导体，使硅基器件高效......
