【摘 要】
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以SiCl-H为气源,用PECVD方法低温沉积多晶硅薄膜.用Raman散射光谱测试样品的纵向结构特性,发现随着薄膜纵向深度的增加,薄膜中硅晶的颗粒尺度逐渐增大.用扫描电子显微镜观察薄膜表面形貌,发现表面是由许多球形、近球形的纳米尺寸的颗粒构聚而成.我们认为,具有晶相结构的纳米晶粒在空间等离子体区形成,然后扩散到衬底,而Cl元素在低温晶化过程中起了很重要的作用.
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以SiCl<,4>-H<,2>为气源,用PECVD方法低温沉积多晶硅薄膜.用Raman散射光谱测试样品的纵向结构特性,发现随着薄膜纵向深度的增加,薄膜中硅晶的颗粒尺度逐渐增大.用扫描电子显微镜观察薄膜表面形貌,发现表面是由许多球形、近球形的纳米尺寸的颗粒构聚而成.我们认为,具有晶相结构的纳米晶粒在空间等离子体区形成,然后扩散到衬底,而Cl元素在低温晶化过程中起了很重要的作用.
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太阳电池在光照工作状态下,两极间有一个正向偏压V加在结上,这时在电池内产生光电流I的同时,将产生一个与之方向相反的"暗电流I(V)",则输出到负载上的电流I为I=I—I(V).因此,在一定工作电压下,欲获得最高的转换效率,则首先应获得尽可能高的光电流和尽可能低的暗电流是非常重要的.本文在各区均存在恒定电场及给定的能带模型下,对所设计的新结构MIp-AlGaAs/p-n-n-GaAs太阳电池的暗电流
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