EUV(极紫外)光刻技术、美国惯性约束核聚变国家点火装置(NIF)、以及长寿命真空电子器件等,对真空要求已经不仅是对真空压强的要求,对真空系统的洁净度提出了更高的要求。以EUV光刻机为例,其曝光波长降低到13.5nm,整个工艺在高真空中进行,以避免空气对光波的吸收。同时必须降低真空环境中等离子气氛中微粒、高速粒子以及其他污染物,否则光源会迅速恶化,降低光学元件的反射率,导致光学系统的寿命和曝光性能下降。在点火装置中,在超强激光作用下,对污染物的控制,直接影响了光学系统的寿命。因此为减小污染物带来的影响,对真空环境的洁净度有很高要求,其残余气体量、碳氢化合物组分、颗粒物等污染物必须控制在允许值以下。真空系统中的污染物主要来自真空腔内壁、内部材料、部件放气,材料清洗、包装的残留物、真空泵组的污染物释放、充入真空腔体的气成份不纯等,这些气体主要含有碳氢化合物、水蒸气、泵油残留、材料表面在强光照射下老化产生的颗粒物以及有机污染物等。这些物质直接污染系统及光学元件,或者会在光学表面形成表面碳沉积、表面氧化等形式的污染。因此在对超洁净真空技术的研究中,需要对以下几个方面进行考虑:1)应用于超洁净真空系统的材料的选择;2)各种材料、部件的清洗、包装、储存、转移过程中的污染问题;3)真空机组选择;4)超纯气体处理技术;5)污染物与洁净度的测量;6)无机、有机气体与颗粒污染物的控制;7)污染物的清除处理。在国外EUV光刻机、点火工程的研究中,对超洁净真空技术已经有了非常多的研究,而国内相关研究还比较薄弱,需要政府、研究机构、企业投入经费和人力、物力开展相关研究,提升我国在超洁净真空技术领域的研究水平,为国家重大仪器装备、重大工程应用提供技术支撑。