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高电子迁移率InN的外延生长及其p型掺杂研究
【机 构】
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北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871
【出 处】
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第十届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2013年8期
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