【摘 要】
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本文首先分析了影响REBULF LDMOS器件击穿电压、导通电阻和阈值电压的主要因数,然后利用二维工艺仿真软件TSUPREM4和二维器件仿真软件MEDICI设计了此器件,确定了器件的结构参
【机 构】
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电子科技大学IC设计中心,成都,610054
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会
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本文首先分析了影响REBULF LDMOS器件击穿电压、导通电阻和阈值电压的主要因数,然后利用二维工艺仿真软件TSUPREM4和二维器件仿真软件MEDICI设计了此器件,确定了器件的结构参数。通过对这些参数和电学特性的分析,进一步优化设计,最终得到器件的击穿电压为1145V,比导通电阻为784mΩ·cm2,阈值电压为0.95V,达到了设计要求。
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