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本文通过研究SiGeHBT的共射级输入特性曲线随温度的变化关系,发现SiGeHBT的BE结正向电压随温度的变化率小于SiBJT,从而在温度特性方面证明了SiGeHBT更适合做微波功率器件.
微波功率SiGe HBT的温度特性及分析
【摘 要】
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本文通过研究SiGeHBT的共射级输入特性曲线随温度的变化关系,发现SiGeHBT的BE结正向电压随温度的变化率小于SiBJT,从而在温度特性方面证明了SiGeHBT更适合做微波功率器件.
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022 辽宁大学物理系,沈阳,110036
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
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2005年1期
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