【摘 要】
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本文主要对比研究了常规AlGaN/GaN MOS-HEMT器件与凹栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件,其界面态密度对器件性能的影响。通过进行槽栅刻蚀,制备出了1.02nm深的凹栅AlGaN/GaNMOS-HEMT器件,使界面态密度从1.25×1012cm12cV-1减少到5.47×1011cm-2eV-1,而器件阈值电压从-5.15V增加到-5.02V,跨导峰值从160mS/mm增加到17
【机 构】
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西安电子科技大学宽带隙国防重点实验室,西安 710071 西安电子科技大学技术物理学院,西安 71
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文主要对比研究了常规AlGaN/GaN MOS-HEMT器件与凹栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件,其界面态密度对器件性能的影响。通过进行槽栅刻蚀,制备出了1.02nm深的凹栅AlGaN/GaNMOS-HEMT器件,使界面态密度从1.25×1012cm12cV-1减少到5.47×1011cm-2eV-1,而器件阈值电压从-5.15V增加到-5.02V,跨导峰值从160mS/mm增加到173mS/mm,使输出饱和电流从974mA/mm增加到1010mA/mm。由于栅槽深度较浅,保证了凹栅MOS器件具有较高的击穿电压。在4GHz,30V的工作电压下,由于具有较低的界面态密度,100μm栅宽凹栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件能将最大输出功率密度和最高功率附加效率从3.4W/mm和33.17％提高到4.39W/mm和42.27％。
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