【摘 要】
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通过在O2气氛下高温后退火,将采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术在蓝宝石衬底上低温生长的n型N-Al共掺ZnO薄膜转化为p型导电.Hall测量显示p型ZnO薄膜的载流子浓度为2.1×1016 cm-3,电阻率51.8 O·cm,迁移率5 cm2/V·s.X射线衍射(XRD)结果显示薄膜为c轴择优取向生长.X射线光电子能谱(XPS)表明退火使Zn-N键的相对数量增加.O2气氛下高温后退火削弱了自
【机 构】
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河北大学物理科学与技术学院,保定 071002
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通过在O2气氛下高温后退火,将采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术在蓝宝石衬底上低温生长的n型N-Al共掺ZnO薄膜转化为p型导电.Hall测量显示p型ZnO薄膜的载流子浓度为2.1×1016 cm-3,电阻率51.8 O·cm,迁移率5 cm2/V·s.X射线衍射(XRD)结果显示薄膜为c轴择优取向生长.X射线光电子能谱(XPS)表明退火使Zn-N键的相对数量增加.O2气氛下高温后退火削弱了自补偿效应并增加了N受主,是薄膜具有p型导电的主要原因.
其他文献
采用等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在一定功率和气压下,在玻璃衬底上制备了不同硅烷浓度的Si薄膜材料.使用拉曼光谱对薄膜材料的结构进行了研究.结果表明Si薄膜的结构随H稀释的加大逐渐由非晶向微晶转变.
用脉冲激光沉积(pulsed laser deposition)法在(001)石英晶体衬底上沉积Co掺杂的ZnO薄膜,并对其结构,光学,电性,磁学性质进行研究.掺杂样品除ZnO纤锌矿结构外不存在第二相,并具有较好的晶体质量和电学性能,透射光谱表明在567nm、613nm、662nm波长处出现3个较明显的吸收峰,这是四面体晶场中d-d跃迁的典型标志,表明了Co2+替代了Zn2+磁性测试结果表明在55
用Raman散射技术分析了能量为170keV的B离子在碳的两种同素异构体C60薄膜和金刚石薄膜中引起的辐照效应,即由晶态向非晶态的转变过程;比较了这两种薄膜对离子辐照敏感性和辐照条件下结构稳定性的差异;演绎出了C60和金刚石的损伤截面s分别为8.68×10-15和7.10×10-15 cm2,由此看出C60对B离子辐照比较敏感;金刚石相对稳定.
报道了电子轰击化学气相沉积生长表面对纳米金刚石薄膜成核、生长机制及其光电性能的影响关系。研究了电子诱导脱氢对表面生长台阶等表面几何结构演化的影响关系。运用拉曼光谱、XRD、光致发光谱、霍尔效应测试等方法,研究了电子诱导脱氢生成的缺陷对薄膜光电性能的影响关系,发现电子轰击使纳米金刚石薄膜呈现较强的非本征p型半导体特性,纳米金刚石薄膜空穴浓度达到1014cm-2以上.发现电子轰击使纳米金刚石薄膜具有很
采用扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM),Raman光谱和X射线光电谱(XPS)研究了硼氧离子共注入对金刚石薄膜微结构的影响.结果表明,硼氧离子注入并在1000℃退火后,金刚石薄膜中晶粒取向由以(110)面为主转变为以(111)面为主;薄膜的均方根粗糙度随离子注入剂量的增大而增加.Raman光谱测试表明,离子注入后,薄膜内应力由拉应力转变为压应力,金刚石纯度降低;退火后,薄膜内应力再转变为拉
本文用热丝化学气相沉积方法以si(100)为衬底制备了不同掺硼浓度的高掺硼金刚石薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱(Raman)对薄膜进行了检测.扫描电子显微镜观察了不同掺硼浓度对薄膜表面形貌的影响.拉曼光谱分析了金刚石一阶拉曼特征峰1332cm-1随着掺硼浓度的变化以及运用峰位的漂移计算薄膜的内应力.同时还分析了金刚石薄膜拉曼光谱中500cm-1和1220cm-1附近的宽峰随掺硼浓度的变
利用直流反应磁控溅射技术在玻璃上制备了高透过率和低电阻率的ZnO:Ga薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜电学性能的影响,并通过与未掺杂ZnO薄膜的比较,研究了Ga掺杂元素对ZnO薄膜结构、光学性能的作用。Hall测试表明沉积压强为1.5Pa时制备的薄膜电阻率最低,通过进一步分析载流子浓度、薄膜晶粒尺寸与迁移率的关系,表明直流磁控溅射ZnO:Ga薄膜的载流子迁移率主要由晶界处电荷缺陷引起
采用真空熟蒸发法在玻璃基片上分别蒸镀一层SnS薄膜和一层Ag薄膜,在300℃的真空炉中退火2h后,制备出SnS:Ag薄膜.通过改变银的蒸发电压(60V～70V),以实现不同掺杂浓度的SnS:Ag薄膜.采用XRD对制备的薄膜进行物相分析,结果表明,所制得的薄膜是具有正交结构的SnS多晶薄膜,在(111)晶面上有很强的择优取向,且当银的蒸发电压提高时,薄膜中会出现Ag2S的衍射峰.光电性能研究表明,室
对GDARE法制备的ZnO薄膜样品进行不同热处理时间的压敏特性、交流阻抗谱测试,结果表明不同的热处理时间对薄膜的I-V非线性特性有重要影响,热处理时间延长,薄膜晶界电阻不断下降.文章讨论了薄膜晶界处吸附气体电荷浓度对晶界处形成的势垒高度的影响.建立不同热处理时间下ZnO压敏薄膜晶界势垒模型,得出热处理时间对ZnO薄膜晶界效应的影响机理.
采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术,分别在n型和p型Si(100)衬底上制备N-Al共掺ZnO薄膜,研究了硅衬底的导电类型对结构及导电类型的影响.Hall测量显示n型Si衬底上生长的ZnO薄膜为p型导电,p型Si衬底上生长的ZnO薄膜为n型导电.对样品进行氧等离子体退火,其导电类型不变.表明硅衬底化学势高时有利于ZnO薄膜中受主缺陷的形成.X射线衍射(XRD)结果表明n型Si上薄膜退火前后均具