【摘 要】
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介绍了SiGe/Si HBT材料的UHV/CVD生长工艺,并用电化学C-V和二次离子质谱分别研究了SiGe/Si HBT材料的载流子分布和组分分布,测试结果表明实现了对掺杂的严格控制,有效抑制了杂质的扩散,所生长的材料达到了设计要求.在3μm工艺条件下制作出SiGe/Si HBT,室温电流增益达到350,截止频率为20GHz.
【机 构】
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集成光电子学国家重点联合实验室,中国科学院半导体研究所
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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介绍了SiGe/Si HBT材料的UHV/CVD生长工艺,并用电化学C-V和二次离子质谱分别研究了SiGe/Si HBT材料的载流子分布和组分分布,测试结果表明实现了对掺杂的严格控制,有效抑制了杂质的扩散,所生长的材料达到了设计要求.在3μm工艺条件下制作出SiGe/Si HBT,室温电流增益达到350,截止频率为20GHz.
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