多量子阱结构铁电隧道结的隧穿电阻效应研究

来源 :第十五届全国电介质、材料与应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zyj16812
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铁电隧道结由于具有隧穿电阻(TER)效应而在存储器领域有着广泛的应用前景.本文提出具有多量子阱结构的铁电隧道结,通过调控共振隧穿效应提高隧穿电阻效应.研究结果表明,相对传统的单铁电层隧道结,具有单量子阱结构的铁电隧道结TER 值可以提高一个数量级以上,而多阱结构隧道结相对单阱结构隧道结可再次将TER 值提高一个数量级.多量子阱结构中提高的共振隧穿强度和合适的势垒非对称性被认为是进一步提TER 效应的原因.这些研究成果有助于认识铁电隧道结中调控电子输运的新的手段,对推动新型存储器件的开发应用具有重要的科学意义和实践指导价值.
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