在等离子体基离子注入(PBII)工艺中，由等离子体扩散造成的非均匀等离子体密度分布和多脉冲条件下短脉冲间歇时间内等离子体的不完全回复对鞘层扩展动力学及注入效率有着重要影响。本文建立的磁化等离子体扩散流体模型得到了与实验诊断相一致的结果，可用于描述包括脉冲施加时间鞘层扩展行为和脉冲间歇时间等离子体回复的全脉冲周期PBII过程。利用此模型，系统的研究了工艺参数对鞘层扩展及注入电流的影响，及多脉冲条件下不完全等离子体回复对离子注入效率的影响。研究发现，有利于加快等离子体扩散的工艺参数变化可减小稳态鞘层宽度并增加离子注入电流密度，反之亦然。在典型的PBII工艺参数条件下，脉冲频率由1kHz提高到100kHz时，平均离子注入电流密度显著提高，影响注入效率提高的限制因素由占空比变为等离子体扩散。脉冲频率和等离子体密度是影响注入效率的两个主要因素。这些结果为PBII工艺参数的选择和优化提供了理论指导。