【摘 要】
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利用气态源分子束外延生长的InAlAs/InGaAs/InP HEMT 结构上制备出了InP基肖特基二极管器件,器件开启电压为0.1V,理想因子1.94,具有较小的肖特基势垒0.356eV。在室温下对不同
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术实验室,上海 200050
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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利用气态源分子束外延生长的InAlAs/InGaAs/InP HEMT 结构上制备出了InP基肖特基二极管器件,器件开启电压为0.1V,理想因子1.94,具有较小的肖特基势垒0.356eV。在室温下对不同结构器件进行了高频特性测试,结果表明阳极尺寸为3μm×44μm三指结构器件的截止频率超过300GHz,该器件适合零偏下工作,并将可能和HRMT实现单片集成。
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