论文部分内容阅读
GaAs作为近年来应用于光电器件及探测器等领域的重要材料，它的光学电学等物理特性在很大程度上受到其晶体结构及缺陷的影响。有意或无意的粒子辐照都可能引入包括点缺陷，位错等等晶格的缺陷损伤，从而影响器件的光电性质。
He离子注入GaAs晶体的辐照损伤特性研究
【摘 要】
：
GaAs作为近年来应用于光电器件及探测器等领域的重要材料，它的光学电学等物理特性在很大程度上受到其晶体结构及缺陷的影响。有意或无意的粒子辐照都可能引入包括点缺陷，位
【机 构】
：
核探测与核电子学国家重点实验室,合肥,230040;中国科学技术大学近代物理系,合肥,230040中国科学院上海应用物理研究所材料二部,上海,201800
【出 处】
：
第十三届全国正电子谱学会议
【发表日期】
：
2016年8期
其他文献
我们在N离子注入的ZnO薄膜中观察到了室温铁磁性，通过退火效应研究分析了其微观结构与磁性表现间的关联，表明样品中的铁磁性与Zn空位相关的缺陷复合态有关。
室温下,采用能量为2MeV的Xe离子对熔盐堆用燃料基体石墨进行了辐照试验。采用拉曼光谱和慢正电子束研究了辐照对基体石墨微观结构和缺陷产生的影响,得到了正电子湮没S参
作为最重要的半导体材料,TiO2因其高化学稳定性、较低的毒性和光敏性质,近年来受到广泛关注和研究.TiO2纳米材料可以应用在很多方面,包括光催化、太阳能电池、防紫外线、
会议
钨金属具有高熔点,高热导率,低Z原子溅射率和不与氘氚共沉积等优异性能,已被选为ITER和DEMO中偏滤器和第一壁的面对等离子材料.聚变堆运行过程中面对等离子体材料受到中
正电子湮没技术(Positron Annihilation Technique,简称PAT)是一种从上世纪60年代发展起来的主要应用于固体物理和材料科学研究的无损探测技术.正电子与材料相互作用,其
运用高温固相反应的方法制备了用于放射性废物固化处理研究的固化体材料钙钛锆石(CaZrTi2O7)，并通过掺入23.21％CeO2模拟锕系核素包容.利用北京大学加速器产生的1MeV Au离子
主要介绍我们在实验室中产生超短MeV正电子束的实验结果.实验是在中科院上海光机所强场激光物理国家重点实验室的飞秒激光系统上进行的,该激光装置发射中心波长为λL=0.8
会议
Zn4Sb3具有优良的热电性能.我们用正电子湮没寿命谱和多普勒展宽谱研究了Zn4Sb3在常温下的缺陷结构以及低温下相变过程中的缺陷结构变化.在常温下Zn4Sb3是β相，其Zn单空位
钨及其合金材料作为聚变堆装置中面临等离子体的重要候选材料,其在高热/粒子流作用下的损伤行为,不仅关系到材料的使用寿命,还会影响等离子的稳定性以及聚变反应堆装置的