卢瑟福背散射相关论文
本文用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AlGaN外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子(f)在......
运用高温固相反应的方法制备了用于放射性废物固化处理研究的固化体材料钙钛锆石(CaZrTi2O7)，并通过掺入23.21％CeO2模拟锕系核素......
我们用Sol-Gel法制备了非晶钛酸铅膜。研究了各种温度下离子注入对其结构的影响。发现注入温度较低时,铅在非晶钛酸铅膜中聚集并结......
H＋离子注入Si片并经一定条件退火，可在Si片中形成埋层微空腔（microcavity）层，结合Si片键合技术，用智能剥离（Smart－cut）技术成功地制备了Unib......
高剂量氦离子注入和退火在硅中形成了氦微气泡（ｂｕｂｂｌｅ）和微孔（ｃａｖｉｔｙ）．我们用剖面透射电镜显示了微孔的形貌．二次离子质谱和卢瑟福背散射测试表明氦注......
我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和三维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨......
我们用卢瑟福背散射能谱测定法(Rutherford Backscattering Spectrometry),测定几个锆钛酸铅(PbZrTiO_3)压电陶瓷(多晶体)样品的化......
经过氢化处理的SiC.SiN和SiO等薄膜,作为新的光电子及保护层材料,它们中的H.C.N和Si的比份是影响其性质的主要因素。要弄清如离子......
采用金属有机化合物气相淀积法在(0001)取向的蓝宝石衬底上生长一层大约20nm厚的AlN缓冲层,在缓冲层上生长大约2μm厚、晶体质量良......
CNO循环是超过1.3倍太阳质量恒星在其主序星阶段能量的主要来源[1]。在恒星的温度很低时,CNO循环的能量产生率受此循环中反应速率......
利用直流磁控溅射(D.C.Magnetron Sputtering)法,选取总气压为80Pa,沉积时间为60min,溅射靶尺寸为φ80,在磁场强度、靶与基片之间......
提出了用能量为１．５－２．５ＭｅＶ的质子弹性背散射分析（ｅｌａｓｔｉｃｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ，缩写为ＥＢＳ）来测定薄膜中的氧含量，这个方法对于厚度为几十纳米到几个微米的样品，测量精度约５％。采用ＲＢＳ分......
用卢瑟福背散射技术测定了Ｎｉ５０ｗｔ％Ｔｉ合金在３０ｋｅＶＡｒ＋离子轰击时的组分原子（Ｎｉ和Ｔｉ）溅射角分布．结果表明，Ｎｉ原子和Ｔｉ原子的角分布存在差别：Ｎｉ原子在靶表面法线方向（发......
报道了微波放电法在ＧａＡｓ表面与Ａｌ金属片上生长ＧａＳ薄膜．用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和卢瑟福背散射能谱（ＲＢＳ）分析了薄膜的成分，Ｘ射线衍射测试了薄膜的结构．结果表明......
本文采用真空磁过滤弧沉积技术，在Ｓｉ（１１１）、石英及Ｔｉ／Ｃ衬底上制备得到非晶碳氮（ＣＮｘ）薄膜。采用卢瑟福背散射分析对薄膜的面密度及Ｎ含量进行定量计算。......
用Ｘ射线衍射分析、二次离子质谱、卢瑟福背散射谱、俄歇电子能谱等表面分析技术，研究了Ｔｉ膜与ＡｌＮ陶瓷衬底的界面固相反应．在高真空中用电子......
用离子束增强沉积方法制备了ＳｉＮ薄膜，其中Ｓｉ由一束Ａｒ离子从Ｓｉ靶上溅射下来，在溅射沉积的同时，以一束Ｎ离子轰击正在沉积的膜层，于是获得了ＳｉＮ膜。......
采用了卢瑟福背散射、俄歇电子能谱和X射线衍射等现代表面分析技术，研究了Ta离子注人和Ta+C双注入的钻粘结碳化钨（WC－Co）硬质合金表面......
本文用Ar~+,Fe~+,Cl~+,I~+,Na~+和K~+等离子束,在15—30keV能量范围内注入聚乙炔薄膜,剂量为1×10~(13)-3×10~(17)cm~(-2).借助红......
用卢瑟福背散射／沟道技术研究了３５０ｋｅｖＹｂ＋注入Ｓｉ（１００）所产生的表面非晶层在不同快速热退火温度下的固相外延结晶过程．实验结果表明，在８００℃－１０００℃的快速热退火......
用３５０ｋｅＶＹｂ~＋在室温下注入了单晶硅，并用卢瑟福背散射／沟道技术测量了注入离子在硅中的射程分布谱和晶格损伤谱。用表面能量近似和平均能量近......
利用微束卢瑟福背散射能谱（Ｍ－ＲＢＳ）分析方法，对Ａｌ＿（７０）Ｓｎ＿（３０）合金表面的两种微相区（Ａｌ富集相区和Ｓｎ富集相区），在２７ｋｅＶＡｒ￣＋离子轰击（总剂量为１．４×１０￣（１８）Ａｒ￣＋／ｃｍ￣２）前后，分别测定了Ｓｎ原子的深度分布......
室温下在５０ｋＶ电压的ＭＥＶＶＡ离子源中用不同剂量的银离子注入到单晶６Ｈａ－ＳｉＣ中，对未注入和注入的ＳｉＣ样品进行了显微硬度和压坑的扫描电子显微镜观察，并研究了......
本工作利用一台不作任何较大改动的ＣＡＭＥＣＡ－ＩＭＳ－３ｆ扇形磁铁型二次离子质谱仪对传统的离子散射谱（ＩＳＳ）分析技术进行了适当的变通，并对二次离子质谱分析（ＳＩＭＳ）的......
在液氮温度下对Hg_(0.64)Cd_(.36)Te外延层注~(11)B时(剂量为10~(15)cm~(-2),能量为250keV)所造成的晶体损伤成功地进行了退火。并......
详细地研究了铯在铝中的扩散和释放过程。铝衬底中的铯是由离子注入引入的。采用2MeV~4He~+离子的卢瑟福背散射技术测量铝衬底中铯......
本文对WSi_x/n-GaAs肖特基势垒进行了性能研究。用复合靶溅射和双靶分层溅射的方法在n型GaAs上淀积WSi_x膜。通过饿歇电子谱(AES)......
本文报导了用热中子活化分析法测量在不同剂量Ar~+离子轰击下Cu-Au合金的溅射产额
This paper reports the measurement of the ......
一、引言卢瑟福背散射分析方法(RBS)是一种无损快速的表面(10(?)～10nm)分析技术。它能给出以下几方面的信息:1.表面薄层的厚度及元......
本工作用卢瑟福背散射研究了离子束混合方法形成硅化钨的条件。通过对热烧结和离子束混合法的比较,结合X射线衍射分析相结构的结果......
本文用4.2MeV ~7Li离子卢瑟福背散射沟道技术研究了Si上外延GaAs膜在MeV Si离子注入及红外瞬态退火后的再生长过程。实验表明,离子......
用RBS技术、椭偏法和微量天平称重法测量了掺氟SnO_2(FTO)透明导电膜、掺铁ZnSe磁性半导体膜和Fe_2O_3气敏元件膜的薄膜厚度.实验......
离子注入硅的微均匀性测量＝Ｍｉ－ｃｒｏｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓｏｆｉｏｎｉｍｐｌａｎｔｅｄｓｉｌｉ－ｃｏｎ［刊，英］／Ｃｕｒｒｅｎｔ．Ｍ．Ｉ．…∥ＳｏｌｉｄｓｔａｔｅＴｅｃｈ－ｎｏｌ，－１９９３．３６（７）．－１１１～１１９讨论了...
Micro-uniformity measurement of ion implanted silicon = Mi-crouniformity meas......
离子注入形成的无定形硅在可形成硅化物杂质镍作用下，促使无定形层硅在低温（４３０℃）时发生了固相外延生长。注入杂质镍浓度为１×１０１２－２．５×１０１７Ｎｉ／ｃｍ２。卢瑟......
用卢瑟福背散射－沟道技术（ＲＢＳ－Ｃ）和Ｘ射线衍射技术（ＸＲＤ）研究了Ｐｔ和Ｓ注入ＹＳＺ（Ｙ２Ｏ３稳定的ＺｒＯ２）后产生的损伤和退火过程中损伤的恢复及注入Ｐｔ的晶化。ＲＢＳ－Ｃ分析表明ＹＳＺ在室温下注......
在室温下用308 MeV的Xe离子和853 MeV的Pb离子辐照Ni/Si O2样品,用卢瑟福背散射和X射线衍射技术对样品进行了分析。通过分析Ni/SiO......
在核反应实验中,靶厚的精度往往会直接影响实验结果的可靠性.为精确测量重元素衬底上轻元素薄靶的厚度,本文通过卢瑟福背散射(RBS)......
本文采用卢瑟福背散射的方法对高功率离子束辐照Ti/Al,Al/Ti和Ni/Ti三组薄膜/衬底体系所形成的混合层进行了研究,试图了解更多关于......
定角器是卢瑟福背散射系统的主要部件.本文就硬件和软件两方面讲诉了单片机在定角器控制系统中的应用.对这个系统的几个主要部分,......
以热氧化的p型硅(SiO2/Si)为衬底,运用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术以铪基金属有机源和高纯氨为反应气体在其上淀积HfNx薄膜样......
