【摘 要】
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通过真空熔炼和真空热压方法制备了Al-Sb共掺杂的(GeTe)85(Ag0.6Sb1.4Te2.4)15系列热电材料。XRD结果显示制得的材料主相为菱方GeTe相，高掺杂量的样品中有少量第二相。我
【机 构】
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硅材料国家重点实验室，材料科学与工程系，浙江大学， 浙江省杭州市 310027
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通过真空熔炼和真空热压方法制备了Al-Sb共掺杂的(GeTe)85(Ag0.6Sb1.4Te2.4)15系列热电材料。XRD结果显示制得的材料主相为菱方GeTe相，高掺杂量的样品中有少量第二相。我们对材料在300K到750K的热导率和电学性能进行了测试。所有样品的Seebeck系数都为正值，表明材料都为p型半导体。在电导率的曲线中，350K-500K之间出现明显的逆转，这是由于材料中发生低温相向高温相转变造成的。随着掺杂量的增加，材料的电导率降低。材料的热导率随掺杂量增加而降低，但在5wt％样品出现逆转。经过计算，材料的热电优值ZT最高值出现在0.5wt%掺杂样品中，在750K时ZT～1.66。随着掺杂量增加，热电优值逐渐下降。这主要是因为AlSb共掺造成了样品载流子浓度下降而降低材料的电导率，使得材料功率因子下降。
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