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航天红外遥感是红外焦平面的一大重要应用领域，然而，空间环境中大量存在粒子及射线等的空间辐照，这些辐照可能会在探测器中引入瞬态甚至永久损伤。因此，研究高能辐射对红外探测器性能的影响，对寻求辐照加固的途径和措施，有效提高器件的工作稳定性、可靠性和使用寿命有着重要的实际意义[1]。近年来，研究人员对 HgCdTe、InP、InGaAs 和 Si 等材料的红外探测器辐照效应及其辐照损伤机理进行了大量的研究，然而对于新型的 InAs/GaSb Ⅱ 类超晶格红外探测器辐照特性的研究则相对较少[2-3]。