【摘 要】
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探讨了埋氧层厚度对SOI片的形变影响。随着埋氧层厚度值的增大，其形变也相应变大，经过抛光工序后缓解了SOI片残余应力，减小了SOI片的形变，埋氧层厚度偏厚的SOI片，其warp值仍然偏大，顶层硅均匀性更差。为控制SOI片形变和均匀性，保障硅膜的挖槽及光刻对位等后工序提供了坚实基础。
【机 构】
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中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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探讨了埋氧层厚度对SOI片的形变影响。随着埋氧层厚度值的增大，其形变也相应变大，经过抛光工序后缓解了SOI片残余应力，减小了SOI片的形变，埋氧层厚度偏厚的SOI片，其warp值仍然偏大，顶层硅均匀性更差。为控制SOI片形变和均匀性，保障硅膜的挖槽及光刻对位等后工序提供了坚实基础。
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采用低压化学气相淀积(LPCVD)方法，在偏向晶向8°N型4H-SiC(0001)Si面衬底上水平热壁反应室进行同质外延生长。SEM扫描发现晶片并没有很明显的表面缺陷，C-V法测试出来的结果发现其无意掺杂的外延层为N型，其浓度为1.2×1015cm-3。对其无意掺杂的晶片进行初步分析，其厚度的均匀度都≤2％。
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