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采用对非晶氧化硅薄膜退火处理方法获得纳米晶硅与氧化硅的镶嵌结构。室温下观察到峰位为２．４ｅＶ光致发光。系统地研究了不同退火温度对薄膜的Ｒａｍａｎ谱，光荧光谱及光电子谱的影响。发现荧光谱可分成两个不随温度变化的峰位为１．８６〈’￣〉ｅＶ和２．３〈’￣〉ｅＶ的发光带。Ｓｉ２ｐ能级光电子谱表明和发光强度一样Ｓｉ〈’４＋〉强度随退火温度增加而增加。指出纳米晶硅与ＳｉＯ〈，２〉界面或ＳｉＯ〈，２〉中与氧有关的缺陷可能是蓝绿光发射的主要原因。