【摘 要】
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The concept of topological order in condensed matter physics provides a new perspective for understanding the origin of different quantum phases and has generated intense recent interest in searching
【机 构】
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Hunan Provincial Key laboratory of Thin Film Materials and Devices,School of Material Sciences and E
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The concept of topological order in condensed matter physics provides a new perspective for understanding the origin of different quantum phases and has generated intense recent interest in searching for nontrivial topological materials,namely topological insulators(TI)or quantum anomalous Hall insulator(QAHI).Recently,several two dimensional(2D)organic framework,such as Ni3C12S12 [1],have been proposed to be 2D topological materials.
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采用光学气化过饱和析出法在光学浮区炉中制备出高质量ZnO 单晶微米管.通过研究不同制备工艺参数下的显微形貌，提出了ZnO 微米棒/微米管的生长机理——光学气化过饱和析出及轴向再分解.XRD 和HRTEM 分析发现，所制备的ZnO 微米管为高质量的六方纤锌矿单晶结构，沿[0001]方向生长.
时间分辨和自旋分辨的角分辨光电能谱系统(TR-SPIN-ARPES)，能够在飞秒的时间尺度内获得材料电子的能带结构，角动量，电子自旋等物理量的变化，为我们研究超高速材料和自旋器件提供了一个有力的工具。因此用于TR—ARPES 的极紫外超快光源在该系统尤为重要。在这套系统中，高功率的钛宝石飞秒激光器输出的激光被分成两部分，一部分用于高次谐波产生系统，另一部分用于光学参量放大器。
羟基卤族结构的碘化铅(laurionite-type lead halide hydroxide,Pb(OH)X(X = Cl,Br,I))由于其独特结构和光谱特性而备受关注。目前,关于羟基卤族结构的碘化铅的制备主要通过硝酸铅和碘化钾或者其它铅盐和碘盐之间的化学反应,比如共沉淀法,水热法和微波加热法等,这将不可避免的引入钾离子等杂质。
MCNO flexible thermistors have been fabricated on polyethylene terephthalate or polyimide sheets by RF magnetron sputtering method at room temperature.The whole fabricating processes have been done at
三氧化钼是一种宽带隙的 n 型半导体材料，因其具有良好的气致变色和光致变色性 能，在信息显示、传感器、存储介质和智能窗等领域具有潜在的应用。本论文利用水热法合 成三氧化钼，该方法是一种以原材料直接混合加以高温高压制备三氧化钼最直接、最简单的 技术。该方法制备的一维三氧化钼(MoO3)纳米线具有更高的比表面积，合成后再添加钯量 子点进行修饰。
时间分辨和自旋分辨的角分辨光电子能谱系统是了解材料能带结构,研究材料物理参量变化过程的重要工具.在ARPES 系统中,UVS Helium Lamp 作为光源(～20eV),经过半球分析仪的电场作用下,不同能量和角动量的电子被分离,在CCD camera 中观察到其表面静态的自旋分辨能带结构,能量分辨3 meV.同时,我们利用超短脉冲极紫外光源来实现时间分辨的ARPES.
Achieving multicolor detection within a single device is highly pursued,where we can realize accurate detections and also reduce the complexity,weight,and cost of structure at the same time.The two-di
随着传统能源的加速消耗，开发新材料、新能源成为科学技术发展的一大趋势，各种新型材料也如雨后春笋般出现。而在众多新型材料中，纳米材料扮演着越来越重要的角色。硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)具有独特的纳米/微米三重层次复合结构[1]，在传感器件的制备中，以Si-NPA 作为传感元件的衬底，不仅可以提供较大的接触面积，还可以为气体传输提供通道。
在液氦低温环境下，利用高灵敏度与高分辨率的傅立叶变换红外光谱技术，对高纯同位素p 型硅样品的Fano 共振及其声子伴线发生位置进行了实验测量与鉴定。在确定好高纯硅样品光热电离激发的工作温度区域基础上，重点测量了来自同位素硅中浅受主杂质硼(B)不同系列的能级跃迁信号。