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以EBZ30型掘进机在我矿煤巷掘进中的成功应用为实例，对掘进机煤巷掘进工艺作了系统论述，针对使用中遇到的问题，提出了实用性强的改进措施和建议，阐述了应用前景。
EBZ30型掘进机在煤巷掘进中的推广应用
【摘 要】
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以EBZ30型掘进机在我矿煤巷掘进中的成功应用为实例，对掘进机煤巷掘进工艺作了系统论述，针对使用中遇到的问题，提出了实用性强的改进措施和建议，阐述了应用前景。
【机 构】
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河南煤化集团鹤煤公司寺湾矿
【出 处】
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2010’全国煤矿机械与救援装备高层论坛暨新产品技术交流会
【发表日期】
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2010年11期
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由于Er的1.54μm(4I13/2-4I15/2)处的发光恰好处在硅基光纤材料中的低损耗波长范围，掺Er半导体材料被视为富有前景的光电材料之--[1-2】。我们发现选择氧化物做为基质材料，可以提高同溶度，另一方面宽带系材料可以抑制热淬灭。所以人们对禁带宽度为3.37eV的宽禁带半导体材料氧化锌作为Er掺杂基质材料进行了大量的研究。同时我们发现对Er3+1.54μm处的发光而言，使用纳米硅(Si-
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Si基光源是实现单片光电集成的关键，也是长期以来人们一直关注和研究的前沿问题之一[1]。特别是为了克服体硅材料发光效率低下的问题，多年来国内外很多研究小组在纳米Si量子点的制备与发光特性研究方面开展了大量工作，并在室温下实现了较强的光致与电致光发射，其效率比体硅材料有了明显的提高。一般认为，这是由于量子限制效应使得在纳米尺度下，电子和空穴的辐射复合几率大大增加所致。但对于硅材料，量子限制效应也导致
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本文利用多孔阳极氧化铝作为模板，将贴有模板的衬底在分子束外延生长系统中进行锗的沉积，通过不同的工艺选择，研究了其对于自组装锗纳米点的有序性和周期性的影响。扫描电镜的结果证实此方法可以获得尺寸小、均一且周期性良好的纳米点状结构。
提出一种结合低温缓冲层和应变超晶格优势的制备方法，利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备，在Si(100)衬底上外延出厚度约为880 nm的高质量纯Ge层。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.45nm，XRD双晶衍射曲线半高宽分别为273 arcsec，位错腐蚀结果显示线位错密度约为1.5×106 cm-2，具有良好的结晶质量。
用稀盐酸作为腐蚀液，对硅基ZnO薄膜MIS结构发光器件中的Zno薄膜进行表面织构化处理。在正向偏压(硅衬底接负压)下，未经表面织构化处理的器件产生随机激射的阈值电流为～16 mA，而经过表面织构化处理后的器件的阈值电流仅为～6 mA；在相同的注入电流下，经过表面织构化处理的器件比未经处理的器件发光更强。我们认为，表面织构化对随机激射性能的改善作用主要来自于Zno/SiO2界面处光多重散射的增强以及
在重掺N型硅衬底上制备了SiO2/ZnO/CdO/SiO2双势垒器件。通过适当地热处理，在ZnO/CdO两薄膜层中实现了Cd浓度渐变的CdxZn1-xO薄膜发光层。对器件的电致发光性能进行测试发现，在较小的正向电流(此时硅衬底接负压)注入下，器件在紫光区内产生随机激射；而当注入电流增大到一定数值以后，除了紫光区内的随机激射外，器件在红光区内也产生了随机激射。研究表明，紫光、红光区域内的随机激射峰分
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