【摘 要】
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本文提出了一种新型的横向变厚度射频SOI LDMOS结构。新结构与常规RESURF结构的不同之处在于,其漂移区厚度从源到漏逐渐线性增加。借助数值仿真和理论分析,从击穿特性、直流
【机 构】
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南京邮电大学电子科学与工程学院 南京 210003
【出 处】
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中国电子学会电路与系统学会第二十三届年会
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本文提出了一种新型的横向变厚度射频SOI LDMOS结构。新结构与常规RESURF结构的不同之处在于,其漂移区厚度从源到漏逐渐线性增加。借助数值仿真和理论分析,从击穿特性、直流特性和频率特性三方面,对新结构开展深入创新研究。本文提出新结构,具有击穿电压高、导通电阻低、饱和电流大,亚阈值摆幅小及截止频率高等优点,对于研究新一代高性能SOI射频集成电路具有重要的理论意义和实践意义。
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