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本文利用GaAS MMIC芯片，采用混合集成工艺设计了Ka-C下变频器组件。该模块在29.4～30.2GHz频率范围内，噪声系数为3.8dB,增益为69dB.该组件具有良好的带外抑制特性，双音交调抑制度高等特点。
Ka-C波段下变频组件研制
【摘 要】
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本文利用GaAS MMIC芯片，采用混合集成工艺设计了Ka-C下变频器组件。该模块在29.4～30.2GHz频率范围内，噪声系数为3.8dB,增益为69dB.该组件具有良好的带外抑制特性，双音交调抑制度
【机 构】
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电子科技大学,成都,610054
【出 处】
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第七届全国毫米波亚毫米波学术会议
【发表日期】
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2008年期
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