GaAS相关论文
基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款6～27 GHz宽带功率放大器单片微波集成电路（MMIC）。采用预匹配电路降低带内......
期刊
针对中国产典型三结太阳电池开展质子/电子辐照试验，明确了三结太阳电池的辐射损伤敏感区域并建立太阳电池电学特性随位移损伤剂量......
半导体光电阴极具有量子效率高、暗电流小的优点，被广泛应用于光电倍增管、像增强器等各类真空光电探测和成像器件，促进了极弱光的超......
本文提出了一种32～40 GHz高耐功率砷化镓（Gallium Arsenide, GaAs） PIN二极管限幅低噪声放大器单片微波集成电路（Monolithic Microwave......
随着现代无线通信系统标准向着多元化发展,其智能化程度日益提高。传统收发前端因采用开关滤波器组来区分不同工作频段和工作模式,......
研制了一种基于6英寸（1英寸=2.54 cm）GaAs外延片的具有高隔离度、低插入损耗的pin开关二极管。采用台面垂直结构以提高器件的工作频......
期刊
随着无线通信时代的加速发展,一些高效的数字调制技术在卫星通信系统中得到了广泛应用,这也使得系统中的传输信号的峰值平均功率比......
为了增加光吸收效率,设计制作了一种具有发射和透射膜层结构的新型GaAs光导开关。在1064nm激光触发能量5.4mJ,光脉宽25ns、偏置电......
用深能级瞬态谱（DLTS）研究了分子束外延生长的高纯GaAs薄膜中的深能级.带金电极的高纯GaAs薄膜经不同温度的热退火,其DLTS峰谱的位置......
本文提出了一种0.25μm GaAs工艺的I-Q矢量调制器。该矢量调制器工作在Ka波段,使用平衡式结构,包括9个Lange耦合器和1个Wilkinson......
以GaAs、InP和GaN为代表的三五族化合物材料具有比硅材料更大的禁带宽度和电子迁移率等特性,满足现代电子技术对高温、高频、大功......
GaAs金属半导体场效应管（GaAs MESFET）广泛应用于卫星、雷达、电子对抗等领域,在微波器件及集成电路中独树一帜。随着国内微波技术的......
基于0.25 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8～3.2 GHz高精度6 bit单片微波集成电路(MMIC)数字移相器.该移......
相控阵系统广泛地应用于现代5G,卫星通信和有源电子扫描阵列（AESA）雷达中,具有工作带宽宽,能实现宽角扫描等多种优势。典型的相控阵......
本文将固浸透镜技术与双光子响应探测器的研究相结合,以近本征Si和半绝缘GaAs为材料,分别制作了半球形Si基（底面为（110）面）和GaAs基（底......
近几年,5G无线通信技术已越发热门,无线通信的技术会与每个人息息相关,这导致的结果必然是射频微波设备的快速增长,而发射机和接收......
单片微波集成电路（Monolithic Microwave Integrated Circuits,MMIC）是在同一块半导体基片上的集成多组模块的微波电路,功能可以涵盖......
采用0.18μm GaAs衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺研制了一款2～6.5 GHz高精度6位数控移相器.为了达到较小的......
凭借快速的波束扫描,灵活的波束赋形能力,相控阵天线已经成为先进军事和商业应用中的关键技术。但是传统相控阵天线高昂的成本严重......
高电荷态离子与固体表面相互作用中可见光发射是高电荷态离子与物质相互作用过程中的重要物理问题。基于中国科学院近代物理研究所......
半导体纳米线因其准一维结构特征和优异的物理特性被认为是新一代光电子器件的理想结构单元。GaAs纳米线具有直接带隙和高的电子迁......
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对本征GaAs以及3d过渡金属Mn、Fe、Co单掺杂GaAs晶体的电子结构及其光学性质进行理论计......
基于SANAN的HBT工艺,设计了一种用于5G通信频段中4.5～5.0 GHz(N79)的手机功率放大器芯片.该功率放大器的放大电路采用三级放大结构,......
Based on energy equation,a one-dimensional model was used for the evolution of the temperature distribution in the GaAs ......
针对波长0.53μm的毫秒脉冲激光辐照GaAs的表面热分解损伤问题,建立了二维轴对称热传导模型,在考虑材料的热物性参数随温度变化的......
The thermal relaxation effect on damage of current filament for high power Gallium Arsenide photocon
Photoconductive semiconductor switch (PCSS) has many advantages,such as high power,fast switching speed,small parasitic ......
采用射频磁控共溅射方法和真空退火方法制备了GaAs/SiO纳米颗粒镶嵌薄膜.X射线衍射(XRD)实验结果表明了经高温退火的薄膜中形成了......
采用分子束外延技术,固定InAs淀积厚度为2.4ML,As压为5.1×10-7mbar,生长速度为0.1ML/s的情况下,在不同的生长温度下制备了InAs/Ga......
综述了各种GaAs表面处理技术尤其是硫钝化技术的发展、现状以及趋势.GaAs的各种硫化物钝化方法在改善GaAs表面特性和GaAs器件性能......
This is an abstract which should not be less than 250 words.The scope of the ennference will cover Material Growth and C......
The heteroepitaxy of GaAs on Si substrates is great interest because of its applicability to monolithic integrated optoe......
本论文用步进应力和恒定应力加速寿命试验的方法对国产砷化镓微波单片集成电路行波放大器的可靠性进行了初步的研究.根据步进应力......
在原有的异质结双极晶体管(HBT)器件结构及工艺基础上进行改进,利用湿法刻蚀自对准工艺设计制作了AlGaAs/GaAs HBT.经过实验对比;......
TTL-ECL电平转换集成电路是将输入的TTL电平信号转换成ECL电平输出信号的器件.国外多家公司均生产该器件,如MOTOROLA、MAREL、NATI......
本文介绍一种GaAs 6位数模转换器设计,采用单电源(-5.2V)的工作电压,最高时钟频率能够达到1GHz,采用全耗尽型GaAs MESFET制作,输入......
本文从半导体材料GaAs的能级结构出发,探讨了GaAs做固体激光器被动调Q器件的可行性,对离子注入半绝缘GaAs用做Nd:YAG激光器中被动......
Frequency and reverse time effects on asymmetric bipolar pulsed DC BCl3 etching of GaAs were investigated.Gas flow rate ......
The RF power amplifiers are typically the most power hungry and take a lot of area in a wireless transmitter.With explos......
砷化镓(GaAs)在半导体家族中已迅速成长为仅次于硅的最重要的半导体电子材料，在微/纳米领域里有着广泛的应用[1]。砷化镓中电子具有......
GaAs,InGaAs等半导体材料的导带由Γ、L及X子谷组成,电子在不同的子谷会表现出不同的有效质量及输运特征.在足够强的稳态直流电场......
The mechanisms of laser-induced damage on semiconductor are of great importance to the fields of laser annealing,laser i......
超分子化学自组装由于其在药物输送、纳米材料制备、选择性催化、分子识别、手性化合物拆分和生物模拟等方面有着潜在的应用前景,......
该文系统地研究了不同厚度的GaAs表面量子阱，在生长不同厚度的Al层后得到的光调制光谱的变化。实验表明，对于Al层较小的表面量子阱样......
采用湿法硫钝化的方式,显著降低了砷化镓(GaAs)材料的表面态密度。钝化处理后的GaAs薄膜光致发光强度提高了约14倍,光电流和响应度......
A three-dimensional model of GaAs/AlGaAs quantum double rings in the lateral static electric field is investigated theor......
利用金辅助的金属氧化物化学汽相沉积法(MOCVD)在汽液固(VLS)生长机制下GaAs (111) B衬底上生长了GaAs纳米线。研究了三个生长温度......
