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作为新一代非易失存储器的有力竞争者，阻变存储器受到了广泛关注，因而探寻阻变机理具有重大的理论与现实意义.金属导电细丝类阻变存储器的动态阻变过程在基于固体电解质和氧化物的器件中已经被阐明，然而其在基于有机物的器件中仍不清楚.本文探讨了具有双极性转变现象的Cu/P3HT：PCBM/ITO结构中的动态阻变过程.在光照下，我们在高阻态观察到了开路电压(-0.15V).但是，由于Cu导电细丝在低阻态形成而使得开路电压消失.综合不同组态下I-V曲线的对称性以及相应的能带结构，认为Cu导电细丝从Cu/P3HT：PCBM界面开始生长，终止于P3HT：PCBM/ITO界面，并且在P3HT：PCBM/ITO界面断开.本工作推进了有机存储器的阻变机理研究.