简单组分的化合物有利于组分控制和缺陷抑制,对提高光伏电池的生产可控性意义重大;同时后硅时代开发与硅基太阳能电池匹配的顶电池也需要探索更多的宽带隙半导体材料。两个要求相结合,我们提出要重点研究带隙在1-1.8 eV之间的二元化合物半导体材料及其光伏器件。近年来,以硒化锑（Sb₂Se₃）为代表的新型二元化合物太阳能电池在材料理解、器件制备和效率提升方面取得了显著的进展,展示出二元化合物光伏电池的发展潜力。本报告将重点介绍对此方向的最新理解:i、为降低化学复杂性,优选A₁B₁型且具有高度对称性的光伏材料;ii、很多二元化合物具有低对称性以及随之而来的准间接带隙的能带结构,对其材料生长、载流子输运、界面控制带来更高的挑战。具体的,低对称材料如硒化锑在与基底结合能力强的时候表现为岛状生长,结合力弱的时候为层状生长;载流子输运具有强各向异性,需严格控制多晶薄膜取向;不同晶面的能带位置差异巨大,需严选晶面以提高器件开压。iii、低对称性材料可以表现出新的优异特性,如取向合适时本征惰性的晶界,以及优异的弯折性能以实现高质量的柔性电池。