【摘 要】
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通过采用短周期的AlN/GaN超晶格和低温AlN夹层,我们首次在国内用气源MBE方法在Si(111)衬底上获得了厚度约为1微米左右的完全无裂纹的GaN外延层.在光学显微镜下可以观察到在原生的薄膜表面的小丘状Ga面特征,并用双晶X射线回摆曲线对外延层的质量进行了评价,我们得到的无裂纹GaN外延层的双晶回摆曲线半峰宽为16.55弧分(993arcsec).
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料中心(北京)
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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通过采用短周期的AlN/GaN超晶格和低温AlN夹层,我们首次在国内用气源MBE方法在Si(111)衬底上获得了厚度约为1微米左右的完全无裂纹的GaN外延层.在光学显微镜下可以观察到在原生的薄膜表面的小丘状Ga面特征,并用双晶X射线回摆曲线对外延层的质量进行了评价,我们得到的无裂纹GaN外延层的双晶回摆曲线半峰宽为16.55弧分(993arcsec).
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