石墨烯自发现以来,以其优异的机械及光电特性,在将其与半导体材料结合应用于光电器件领域引起了广泛的研究热潮.氮化镓作为当前研究热门的第三代半导体材料,其直接带隙及宽禁带等特点使得其具备优异的蓝光特性.因此,将石墨烯与氮化镓材料生长的结合已经受到越来越多的关注.利用石墨烯的二维结构层间易剥离特性,在其上生长的氮化镓发光二极管可以采用机械转移的方法转移至其他衬底,比如:金属、玻璃或塑料等,从而实现氮化镓发光二极管柔性显示.本课题着力点在于以Si02/Si为衬底，在其上直接生长大面积多层石墨烯，将其应用于氮化镓材料的生长与剥离，为氮化镓与石墨烯复合结构的应用进行初步探索。文章主体实验内容分为两部分，第一部分为在Si02/Si上以石墨粉为碳源，镍催化生长石墨烯。具体方案为，以Si02/Si为衬底，通过离子溅射镀100nm镍膜。将石墨粉溶于酒精后以旋涂法均匀涂覆在镍膜上，在氩气氛围中退火后去除多余碳粉，刻蚀镍，最终在Si02/Si上获得了多层完整石墨烯薄膜。