【摘 要】
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利用LP-MOCVD系统在Si(111)衬底上成功地生长出了较高质量的InGaN MQW蓝光LED外延片,X射线双晶测试获得(002)遥摆曲线的半峰宽(FWHM)为389arcsec,(102)遥摆曲线的半峰宽(FWHM
【机 构】
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南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心
【出 处】
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第九届全国LED产业研讨与学术会议
论文部分内容阅读
利用LP-MOCVD系统在Si(111)衬底上成功地生长出了较高质量的InGaN MQW蓝光LED外延片,X射线双晶测试获得(002)遥摆曲线的半峰宽(FWHM)为389arcsec,(102)遥摆曲线的半峰宽(FWHM)为487arcsec.制成标准管芯后,在正向电流为20mA时,工作电压为3.8V,反向电压为19V(10μA),光输出功率大于0.5mW.
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