【摘 要】
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结合器件版图,通过对2k SRAM存储单元和外围电路进行单粒子效应激光微束辐照,获得了SRAM器件的单粒子翻转敏感区域,测定了不同敏感区域单粒子翻转的激光能量阈值和等效LET阈值,并对SRAM器件的单粒子闭锁敏感度进行了测试。结果表明,存储单元中截止N管漏区、截至P管漏区、对应门控管漏区是单粒子翻转的敏感区域;实验中没有测到该器件发生单粒子闭锁现象,表明通过采用外延工艺以及源漏接触、版图布局调整等
【机 构】
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西北核技术研究所,西安69号信箱10分箱,710024 中国航天科技集团公司五院510所,兰州市9
【出 处】
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第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
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结合器件版图,通过对2k SRAM存储单元和外围电路进行单粒子效应激光微束辐照,获得了SRAM器件的单粒子翻转敏感区域,测定了不同敏感区域单粒子翻转的激光能量阈值和等效LET阈值,并对SRAM器件的单粒子闭锁敏感度进行了测试。结果表明,存储单元中截止N管漏区、截至P管漏区、对应门控管漏区是单粒子翻转的敏感区域;实验中没有测到该器件发生单粒子闭锁现象,表明通过采用外延工艺以及源漏接触、版图布局调整等设计对于器件抗单粒子闭锁加固是十分有效的。
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