无氨法制备InN纳米线的研究

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：happywz521

【摘要】

：

随着发光二极管(LEDs)、激光二极管(LDs)、高频晶体管等半导体器件的迅速发展,InN已经被证实是一种非常重要的Ⅲ族氮化物半导体材料.InN 的带隙为0.7eV,具有立方(c-InN)和六方(h-InN)结构.本文采用自己搭建的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统,分别以金属In和N2 作为In 源和N 源,H2 作为运载气体,并用物理蒸镀的Au 膜作为催化剂,对InN 纳米线的生长进行

【作者】

：

姬宇航沈震王如志

【机构】

：

北京工业大学材料科学与工程学院薄膜实验室,北京 100124

【出处】

：

中国物理学会2016年秋季会议

【发表日期】

：

2016年5期

【关键词】

：

氮化铟(InN)纳米线化学气相沉积(CVD) 光致发光(PL)

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