【摘 要】
:
为了进一步开发我国钛资源,叙述了国内钛氯化技术的进展,并对熔盐氯化、沸腾氯化技术的原材料、工艺流程进行了阐述,最后对两项技术从资源综合利用角度进行了评价。
【机 构】
:
中信锦州金属股份有限公司,锦州 121005 锦州钛业有限公司,锦州 121005
【出 处】
:
2012年国家化工行业生产力促进中心钛白分中心会员大会
论文部分内容阅读
为了进一步开发我国钛资源,叙述了国内钛氯化技术的进展,并对熔盐氯化、沸腾氯化技术的原材料、工艺流程进行了阐述,最后对两项技术从资源综合利用角度进行了评价。
其他文献
报道了L波段低端短脉宽360w硅微波脉冲大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术,器件在上述频带内,脉宽10μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于360w,增益大于8.5dB,效率大于50%。
采用量子模型,研究了MOS器件不同介质材料和栅结构栅泄漏电流,该模型基于Schrodinger-Poisson方程自洽全量子数值解,特别适用于高k栅介贡和多层高k栅介质纳米MOSFET,具有概念简单,运算效率高、求解稳定的特点,模拟得出栅极电流与实验结果符合。研究结果表明,采用Al2O3栅介质材料对栅电流的减少有明显的作用。为最大限度地减少MOS器件的栅电流,需要优化叠栅结构中界面层的厚度。对器件
介绍了聚酰亚胺薄膜的制备工艺,研究了薄膜的刻蚀特性,发现湿法腐蚀得到的聚酰亚胺薄膜图形受最小尺寸的限制。对于O2等离子刻蚀,改变参教得到了刻蚀速率随O2流量和功率的变化曲线;对于RIE干法刻蚀,通过两次测量得到了更加精确的刻蚀速率。测量了薄膜的应力特性、硬度、杨氏模量及化学试剂对其的腐蚀性质。聚酰亚胺薄膜在SiC MEMS加工中作为牺牲层,重点研究了退火对释放后结构应力的影响,找到了在材料允许温度
提出一种VDMOS与低压控制电路之间抗串扰的新隔离结构。通过二维器件仿真软件MEDICI验证,能够有效防止VDMOS漏极反偏造戍的衬底电流进入CMOS电路,CMOS电路中出现闩锁效应时的VDMOS漏端电压从-1V提高到-4V,已经应用于一款功率集成电路中,经过初步验证,具有一定应用价值。
利用等离子体化学气相沉积(PECVD)法沉积SiN薄膜,衬底采用多晶硅(厚度大约为330±40μm,电阻率为0.5~2.0Ωcm),采用常规制备参教条件沉积SiN薄膜,之后对样品进行不同条件的热处理.热处理采用快速热退火(RTA)的方式在氮气氛下进行退火温度为350℃-1100℃,退火温度为15s-180s.最后,通过运用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)对样品进行测试,从而获得薄膜少于寿命.从测
研究了以Ta/TaN作为阻挡层的Cu在Nisi衬底上的接触的热学及电学稳定性。用四探针方法(FPP)、X射线衍射谱(XRM)、扫描电子显微镜(SEM)、深度俄歇电子能谱(AES)、电流-电压测试(I-V)及肖特基势垒高度拟合(SBH)等手段表征了了Cu/扩散阻挡层/NiSi/Si结构中Ta/TaN的阻挡特性。各项测试结果表明,Ta/TaN复合阻挡层是Cu在NiSi村底上的接触的扩散阻挡层的良好选择
我国钛白粉生产新建装置的特点是生产规模大、工艺先进,采用新型设备、提高控制水平,这些项目的实施体现了国内工程设计能力的提升和装备制造业的进步。指出我国的钛白行业还将是以硫酸法工艺为主,必须依靠行业自身的技术进步,改变公众对硫酸法钛白行业的看法,重新获得行业发展的宽松环境,需要行业内各方,包括生产、设备制造、材料供应、工程设计与建设、上下游企业等共同努力,开创行业发展的新局面。
在工业企业新建、扩建工程建设项目中,生产设备投资占投资总额60%-80%的比例;进入二十一世纪,设备管理工作理念己从单纯的保障生产提升到了企业战略的高度来认识和研究。对设备前期管理的管理理念以及总成本控制进行了阐述
对企业设备管理的重要性进行了概述,探讨了钛白行业推行设备现代化管理措施,对《设备点检制》的工作流程进行了阐述。
在硫酸法钛白粉生产过程中,钛铁矿或高钛渣经过酸解、沉降、过滤、水解等步骤后形成偏钛酸和水溶性杂质盐类;为了实现固液分离,工业上一般采用真空叶滤机或者隔膜压滤机进行水洗,从而达到除去或者降低水解后偏钛酸中残留的铁、镁、铝等金属盐类的目的。所以,滤布是钛白粉生产过程中不可或缺的材料,其质量的好与坏直接影响钛白粉的质量和产量。本文通过对水洗滤布透气性测量,研究其透气性对产品质量的影响。指出滤布透气率平行