【摘 要】
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以单晶Si(111)为基底使用双槽法电结晶制备Co/Pd纳米多层膜,确定了工艺条件。通过电位阶跃法探讨了镀层晶体成核机理,Co、Pd电结晶初期均为三维瞬时成核过程.使用石英晶体微天平(EQCM)精确测定沉积过程中膜的质量.X射线衍射(XRD)研究显示:多层膜具有较好的晶格取向,出现Co/Pd(111)的合金峰.并用物性测量系统(PPMS)测试了Co/Pd多层膜的磁性能.磁滞回线表明:矫顽力随着磁性
【机 构】
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上海大学理学院化学系上海200444
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以单晶Si(111)为基底使用双槽法电结晶制备Co/Pd纳米多层膜,确定了工艺条件。通过电位阶跃法探讨了镀层晶体成核机理,Co、Pd电结晶初期均为三维瞬时成核过程.使用石英晶体微天平(EQCM)精确测定沉积过程中膜的质量.X射线衍射(XRD)研究显示:多层膜具有较好的晶格取向,出现Co/Pd(111)的合金峰.并用物性测量系统(PPMS)测试了Co/Pd多层膜的磁性能.磁滞回线表明:矫顽力随着磁性层厚度的减小而增大,可达到1130 Oe左右.
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铜基底上电沉积制备了CoNiMo(P)非晶软磁合金薄膜。设计正交实验,并对实验数据进行误差分析,得到制备CoNiMo(P)非晶软磁合金薄膜的优化工艺条件为。实验表明,优化条件下制备的沉积态CoNiMo(P)合金薄膜具有非晶态结构、膜面光亮、平整、致密。磁性测量结果显示:CoNiMo(P)合金薄膜的易磁化轴平行于膜面,平行方向上饱和磁化强度(Ms)为142 emu g-1,矫顽力(Hc)为25Oe.
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