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作者们利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜。通过光致发光(PL)、扫描电镜(SEM)分析了不同NH<,3>流量、不同生长温度对AlGaN外延层的结晶质量和表面形貌的影响。作者们发现相对高的NH<,3>流量和相对高的生长温度可以提高AlGaN外延层的结晶质量。