【摘 要】
:
The progress in exploiting new electronic materials and devices has been a major drivingforce in solid-state physics.As a new state of matter,a Weyl semimetal(WSM),particularly atype-Ⅱ WSM,hosts Weyl
【机 构】
:
National Laboratory of Solid State Microstructures,School of Physics,Collaborative Innovation Center
论文部分内容阅读
The progress in exploiting new electronic materials and devices has been a major drivingforce in solid-state physics.As a new state of matter,a Weyl semimetal(WSM),particularly atype-Ⅱ WSM,hosts Weyl fermions as emergent quasiparticles and may harbor novel electricaltransport properties because of the exotic Fermi surface.Nevertheless,such a type-Ⅱ WSMmaterial has not been experimentally observed in nature.In this work,by performing systematicmagneto-transport studies on thin films of a predicted material candidate WTe2,we observenotable angle-sensitive(between the electric and magnetic fields)negative longitudinalmagnetoresistance(MR),which can likely be attributed to the chiral anomaly in WSM.Thisphenomenon also exhibits strong planar orientation dependence with the absence of negativelongitudinal MR along the tungsten chains(a axis),which is consistent with the distinctive featureof a type-Ⅱ WSM.By applying a gate voltage,we demonstrate that the Fermi energy can be tunedthrough the Weyl points via the electric field effect; this is the first report of controlling the uniquetransport properties in situ in a WSM system.Our results have important implications forinvestigating simulated quantum field theory in solid-state systems and may open opportunitiesfor implementing new types of electronic applications,such as field-effect “chiral” electronicdevices.
其他文献
介绍一种用于集成电路技术的一拖三低温泵组,低温泵在集成电路技术中为装备提供高真空的无油环境,同时对低温泵自动再生功能提出了更多的要求。本文主要是通过对低温泵组的再生功能的改进,设计出符合集成电路技术应用的一拖三低温泵组;同时对在集成电路制造工艺过程中关注的低温泵的真空度稳定性及真空度恢复性能进行了测试。
狄拉克电子材料中的载流子有效质量为零,能量和动量之间为线性色散关系,这种独特的狄拉克锥形电子能带结构导致许多新奇的量子输运性质。本报告我将汇报我们关于低维狄拉克电子材料(包括石墨烯、拓扑绝缘体Bi2Se3 纳米结构、狄拉克半金属Cd3As2 纳米结构)的制备和量子输运性质方面的工作:(1)石墨烯垂直结构的构筑,以及在电流垂直于石墨烯平面的情况下,温度、磁场、门电压对载流子输运的调制作用;(2)在高
由于石墨烯的带隙为零,因此器件基本没有开关比,不能用于逻辑器件.新型二维材料硫化钼的出现弥补了这一缺陷.硫化钼具有合适的禁带宽度(1.2-1.8 eV),目前基于单层硫化钼的场效应晶体管开关比已经可以达到108,迁移率大于30cm2/V·s 及亚阈值斜率74mV/dec.不过,同样由于缺乏悬挂键,高介电常数的介质层难以直接沉积在硫化钼表面,使得目前基于硫化钼的电子器件多数采用的是背栅型,这极大地限
随着云计算、物联网和大数据等信息技术的快速发展,人们需要存储和处理的数据呈爆炸式的增长,主流的存储技术越来越难以满足市场的需求。基于阳离子电化学效应的阻变存储器(RRAM),通常由易氧化金属电极(Cu、Ag 等),固态电解液基阻变功能层和惰性金属电极(Pt、W 等)构成[1]。阳离子基RRAM 具有结构简单、高速、低功耗和易于三维集成等优点,被认为是下一代非易失存储技术的最有利竞争者之一。在外加电
纳米线的性能强烈依赖于它的结构,包括晶体结构、晶向、直径及内部缺陷等。理解结构与性能的关系是发展基于纳米线的新型纳米器件的关键之一。我们发展了一种方法,可以在电学特性测量后把作为场效应晶体管沟道的纳米线转移到透射电镜中进行原子尺度结构表征。利用该方法,我们研究了InAs 纳米线及其场效应晶体管的电学特性与纳米线的晶体结构(纤锌矿结构或闪锌矿结构)、晶体取向、纳米线直径的关系,发现了场效应晶体管的阈
作为一种重要的低维半导体结构,硅量子点具有非常突出的光电性能,有可能显著推动硅基光电子等领域的发展.在各种制备硅量子点的方法中,冷等离子体法由于能对硅量子点的尺寸和表面进行有效调控而备受瞩目.近年来,我们发现在冷等离子体中能够对硅量子点进行有效掺杂,这为硅量子点的性能调控增加了一个重要的自由度.在对冷等离子体法制备的硅量子点的表面进行氢化硅烷化处理后[1],我们发现硅量子点的表面态能够影响其辐射复
Epitaxial graphene/h-BN heterostructure is a novel system for investigating fundamental physics of Dirac fermions in periodic Moiré potential(e.g.Hofstadter butterfly under magnetic field[1],gate-depe
理论与实验研究表明孪晶界对单层二硫化钼性能具有重要的影响。需要详细的实验去阐明孪晶界对二硫化钼的影响机制。我们通过低压化学气相沉积合成了具有孪晶界的单层二硫化钼,同时通过变温输运测量研究了孪晶界对单层二硫化钼在不同温度下的输运性能的影响。实验结果表明:低温下,二硫化钼的输运机制是变程跃迁,孪晶界可以贡献态密度而增加跃迁路径,从而对电导具有增强作用;高温下,二硫化钼的输运机制是最近邻跃迁,孪晶界作为
液滴微流控技术是微流控技术的一个重要组成内容,也是目前研究最为广泛的微流控技术之一[1-3].弹状流的生成与输运表现出与其他流型不同的特性,备受关注,在微给药、微分离、微浓缩等研究领域具有广泛的应用前景.本文通过粒子图像测速系统(Micro-PIV)对T 型PDMS 微通道芯片内液液两相流进行实验研究,去离子水和硅油分别被选作分散相和水相.通过调节两相流量、流量比、连续相粘度等实验参数,研究各参数
碳纳米管阴极(Carbon nanotube,CNT)阴极因具有低功耗、无热效应、机械强度高、化学稳定性好、环境适应性强等特点,使其在取代热阴极后,有望将电离规真空测量下限延伸到更高真空度范围.[1-3]然而,球形振荡器规具有灵敏度高、发射电流小,这为采用场致发射的CNT 阴极创造了条件.[4]本文采用离子光学的模拟方法,研究了CNT 阴极与球形振荡器的匹配条件,并对场发射电子的入射与振荡电场进行