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P型栅GaN基增强型HEMT(p-GaN E-HEMT)是当前GaN基电力电子器件研究中最具应用前景的技术方案之一，已为业界广泛采用，如加拿大GaN System、美国EPC、日本Panasonic等。
P型栅GaN基增强型HEMT制备的关键技术研究
【摘 要】
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P型栅GaN基增强型HEMT(p-GaN E-HEMT)是当前GaN基电力电子器件研究中最具应用前景的技术方案之一，已为业界广泛采用，如加拿大GaN System、美国EPC、日本Panasonic等。
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215123;中国科学院纳米器件和应用重点实验室,苏州215123;上海大学材料科学与工程学院,上海200444中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州
【出 处】
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第十五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2016年12期
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