【摘 要】
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We have successfully grown the single crystals of CaFeAsF1-x and measured resistivity and Hall effect on these samples.For the undoped samples, Hall coefficient keeps positive below about 120 K which
【机 构】
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National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Na
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We have successfully grown the single crystals of CaFeAsF1-x and measured resistivity and Hall effect on these samples.For the undoped samples, Hall coefficient keeps positive below about 120 K which corresponds to the spin-density-wave (SDW)transition.
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电化学沉积技术是一种新颖的、低成本方法,具有工艺简单、设备要求低、易于连续化批量制备等优点.采用电化学沉积技术在双轴织构的Ni-5at.％W(Ni-5W)金属基带上已成功制备出了具有较好c轴取向的RE4-xZrxO7及RExOy缓冲层薄膜,薄膜表面光滑、平整、致密,粗糙度可达到1.4 nm.由电化学沉积技术快速制备的CeO2薄膜厚度超过150 nm无裂纹的出现,克服了物理方法制备CeO2薄膜厚度超
对称性的破缺会产生新的超导性质.自旋轨道耦合以及外磁场均会导致系统的对称性缺失,因此超导态将会受到这两种作用的强烈影响.为研究此类现象,本文在平均场理论的框架下应用格林函数方法,研究一个具有自旋轨道耦合和外磁场共存的二维超导系统.研究表明,自旋轨道耦合会导致自旋单态(s波)和自旋三重态(p波)超导态的混合,且随着自旋轨道耦合作用的增强,s波配对能隙随之增强,而p波能隙随之减弱.当外磁场存在时,外场
YBa2Cu3O7-δ (YBCO)高温超导薄膜因其在液氮温区下优秀电学性能的优点,在强电和弱点领域有着广泛的应用.在柔性金属基带上基带上制备YBCO薄膜过程中,为了防止金属原子以及氧原子的互扩散,以及向YBCO的生长提供良好的生长模板,需要在超导层以及金属基底之间引入缓冲层.离子束辅助沉积(IBAD)技术是当今最重要的缓冲层制备技术之一.本研究利用IBAD技术在非晶的Y2O3上制备出高质量双轴织
GdBCO超导薄膜由于其在场下具有较高的载流能力而成为第二代高温超导涂层导体研究的热点之一.金属有机溶剂沉积法具有成分容易控制,高的生产效率,制备成本低以及基底选择的多样性等优点.而晶界间的弱连接,二次相粒子以及非C轴取向的晶粒抑制了临界电流密度的提高.西南交大课题组在熔融织构YBCO块材中掺杂适量的银,发现银弥散分布在薄膜的晶界中,改善了晶界的弱连接,进而提高了薄膜的临界电流密度值.
利用格林函数方法,通过Klemm-Clem变换,计算具有正交晶格结构椭球形费米面的手性p波超导体上临界磁场的角依赖关系.超导序参量选取具有手性对称性的等自旋配对单分量形式.当配对电子有效质量的各向异性强度处于一定范围时,上临界磁场随角度呈现非单调变化,表明除配对电子有效质量的各向异性外,手性p波超导体也具有超导序参量的各向异性.计算结果可用于拟合铁磁超导体UCoGe上临界磁场的实验测量.
近年来随着分子束外延技术的迅猛发展,人们开始尝试在单原子层的尺度上设计和生长超晶格材料,以求得到具有更高Tc的新型超导材料,揭示超导的物理本质.经理论计算,LaNiO3 /LaA1O3超晶格薄膜材料,通过引入绝缘层LaA1O3将导电的金属层LaNiO3隔开,从而具有与铜氧化合物类似的由dx2-y2轨道形成的费米面和反铁磁有序态,可能存在高温超导.本报告主要介绍利用氧化物分子束外延技术在不同衬底上进
基于铁基超导体的多带能隙特征,采用两带模型,假设带内电子配对为各项同性,带间电子配对序参量为coskxcosky形式,利用Gorkov理论,推导了层状铁基超导体的二维Ginzburg-Landau方程,并给出了自由能密度和垂直于二维平面的上临界场表达式.计算表明,上临界场在转变温度附近随温度变化的曲线呈对数形,该特征与最近的一些实验结果相符合,且与三维体系的上临界场有显著不同,这一特点是由系统的准
利用固气反应法制备出新的氮化物超导体CuNNi3 (Tc=3.2K).CuNNi3和MgCNi3及ZnNNi3同构,是反钙钛矿氮化物中发现的第二个超导体,其晶胞参数为a=0.3742nm.通过对CuNNi3的磁化率、电输运和比热测量,得到了CuNNi3的超导态和正常态的特征参数:超导转变温度Tc=3.2K,德拜温度(⊙)D=291K,下临界场Hc1=4mT和上临界场Hc2=1.21T.并由此得出G
之前的多种研究手段都表明KxFeySe2中存在明显的相分离,这导致了这个体系丰富复杂的物理现象,许多基础问题尚未得到统一的解释.最近多个小组报道通过SEM背散射电子像能够清晰地观察到超导网络结构,并证明高温退火并淬火的方法可以得到连通的超导网络.我们用一种简单的一步合成法制备了名义组分为K0.8Fe2Se2的单晶样品,样品表现了与之前报道的一步法和两步法合成样品相仿的超导性能.通过SEM背散射电子
稀土元素电子型掺杂的Ca1-xRexFe2As2单晶中发现了异常高Tc的超导电性,然而同源的其他铁基122体系中稀土掺杂并不能得到如此高的超导转变,其超过40 K超导电性的来源仍未得到合理解释.我们用FeAs助熔剂方法生长了一系列不同掺杂量的Ca1-xRexFe2As2单晶,详细研究了体系超导电性随掺杂含量的变化,建立了一个高低超导相共存的掺杂相图.对三个典型掺杂区域,不同磁场下传输测量发现,样品