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该文介绍了PbO-bI<,2>O<,3>-B<,2>O<,3>熔剂中，在钆镓石榴石(3G)基片上，利用液相外延(LPE)等温浸渍技术，制备出了适用于静磁波器件的Gd-Bi-Ga:YIG单晶薄膜，研究了薄膜的损耗和温度特性，结果表明掺杂Gd-Bi-Ga:YIG的温度稳定性比纯YIG有明显提高（提高约15℅）：在4.5-6.5GH<,z>下的延迟线腔中测试，其最小插损为5-6dB，较好地满足了器件的要求，并对影响薄膜生长及性能因素作了分析讨论。