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本文采用"合成渐近"技术推导出了两层无耗介质和有耗介质(Si和SiO2)上贴片电容的CAD公式.采用"合成渐近"技术得到的公式简单、准确(误差＜2％),并且有清晰的物理内涵.本文中下层硅衬底为高阻硅(σ≤1S/m),上层介质很薄,其厚度小于等于正方形贴片电容宽度的20％.
基于合成渐近线技术推导两层有耗介质上贴片电容CAD公式
【摘 要】
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本文采用"合成渐近"技术推导出了两层无耗介质和有耗介质(Si和SiO2)上贴片电容的CAD公式.采用"合成渐近"技术得到的公式简单、准确(误差＜2％),并且有清晰的物理内涵.本文中下层硅衬底为高阻硅(σ≤1S/m),上层介质很薄,其厚度小于等于正方形贴片电容宽度的20％.
【机 构】
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南京理工大学通信工程系,江苏,南京,210094
【出 处】
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2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会
【发表日期】
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2006年8期
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